半导体熔断器A70gRB
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半导体熔断器A70gRB
文本预览
Semiconductor (A) fuses
半导体 熔断器
(AC)
美式圆形熔断器
其它美式熔断器
A070gRB
半导体保护熔断器
A070gRB产品是一款快速运作的全范围型熔断器，
用于变极器、UPS及其它分立半导体设备的保护。
特征/优点
• 国际性的10 X 38 mm (1 1/2 X 13/32)尺寸，世界范
围内认可
• 套圈装配式的1－30A产品，有助于多样性的设计。
• 低I2t值，改善了半导体的防护
• 根据VDE 636-23 与IEC 269.4，定为gR等级
额定值 审核 亮点 应用
• AC: 1-30A • UL验证的元件 • 极快速运作 • 小型变极器、UPS系
160kA, 700V • 符合IEC 269-4 • 限流性 统、电动机驱动器以及
• AC：UL导向 编号 • 低l2t 类似700V以下设备的
• DC: 550VDC, JFHR2 • 极佳的周期性能 防护
L/R = 10mS
• gR
尺寸
38 (1.50)
用于A070gRB熔断器的熔断器座
10
USM 系列 . . . . . . . .超安全型TM熔断器座
303 系列 . . . . . . . . . . . . . .小型熔断器座
Ø10, 3 (.406)
备注：熔断器标签中包括欧洲与美国的两种参考资料。
SCAC42 12/04Semiconductor (A) fuses
半导体 熔断器
(AC)
美式圆形熔断器
其它美式熔断器
A070gRB
半导体保护熔断器
功率损耗
额定 熔断 额定电压下的
外壳尺寸 安培额定值
电压 I2t值 熔断I2t值
80%的 100%的
编目号码 参考编号
(mm) 额定电流 额定电流
(VAC) (A2s) (A2s)
1 0.066 0.32 0.57 1 A070GRB01T13 W330000
1.25 0.115 0.4 0.7 1.25 A070GRB1.25T13 X330001
1.5 0.185 0.63 0.81 1.5 A070GRB1.5T13 Y330002
2 0.42 1.43 1.1 2 A070GRB2T13 Z330003
2.5 0.88 3 1.15 2.1 A070GRB02.5T13 A330004
3 1.55 5.1 1.25 2.3 A070GRB03T13 B330005
4 4 13.2 1.35 2.6 A070GRB04T13 C330006
5 8.6 27.5 1.4 2.7 A070GRB05T13 D330007
10 X 38 700
6 15 48.5 1.5 2.9 A070GRB06T13 E330008
8 3.3 36.3 1.35 2.4 A070GRB08T13 F330009
10 5.4 60.5 1.85 3.4 A070GRB10T13 G330010
12.5 8.5 90.2 1.9 3.4 A070GRB12.5T13 H330011
16 16 160 2.3 4.1 A070GRB16T13 J330012
20 30 275 2.4 4.3 A070GRB20T13 K330013
25 58 520 2.7 4.7 A070GRB25T13 L330014
30 96 815 2.9 5 A070GRB30T13 M330015
12/04
SCAC43Semiconductor (A) fuses
熔断器 安培值
(AC)
美式圆形熔断器
其它美式熔断器
A070gRB
半导体保护熔断器
熔断时间－电流数据(1 － 6A) 峰值允通电流数据 (1 － 6A)
熔断时间－电流数据 (8 － 30A) 峰值允通电流数据 (8 － 30A)
SCAC44 12/04
秒位单，间时
有效电流，单位根均方对称电流的安培值
电流，单位安培
培安位单，流电通允时瞬大最
有效电流，单位根均方对称电流的安培值
秒位单，间时 培安位单，流电通允时瞬大最
电流，单位安培Semiconductor (A) fuses
其它美式熔断器
A070gRB
半导体保护熔断器
DC 峰值电弧电压
DC 电压容量
最大电弧电压vs. 系统电压
1 － 6A
测定穿过熔断器终端的峰值电弧电压，用以作为工作电压的函数
灭弧 I2 t值 vs. AC工作电压
用于测定熔断器切断
I2T值的校正因数位于其相关电压值下
12/04
SCAC4 5
)R
/L
(
数常间时
数因正修的T
2 I
压电弧电值峰大最
半导体 熔断器
(AC)
美式圆形熔断器
其它美式熔断器
A070gRB
半导体保护熔断器
A070gRB产品是一款快速运作的全范围型熔断器，
用于变极器、UPS及其它分立半导体设备的保护。
特征/优点
• 国际性的10 X 38 mm (1 1/2 X 13/32)尺寸，世界范
围内认可
• 套圈装配式的1－30A产品，有助于多样性的设计。
• 低I2t值，改善了半导体的防护
• 根据VDE 636-23 与IEC 269.4，定为gR等级
额定值 审核 亮点 应用
• AC: 1-30A • UL验证的元件 • 极快速运作 • 小型变极器、UPS系
160kA, 700V • 符合IEC 269-4 • 限流性 统、电动机驱动器以及
• AC：UL导向 编号 • 低l2t 类似700V以下设备的
• DC: 550VDC, JFHR2 • 极佳的周期性能 防护
L/R = 10mS
• gR
尺寸
38 (1.50)
用于A070gRB熔断器的熔断器座
10
USM 系列 . . . . . . . .超安全型TM熔断器座
303 系列 . . . . . . . . . . . . . .小型熔断器座
Ø10, 3 (.406)
备注：熔断器标签中包括欧洲与美国的两种参考资料。
SCAC42 12/04Semiconductor (A) fuses
半导体 熔断器
(AC)
美式圆形熔断器
其它美式熔断器
A070gRB
半导体保护熔断器
功率损耗
额定 熔断 额定电压下的
外壳尺寸 安培额定值
电压 I2t值 熔断I2t值
80%的 100%的
编目号码 参考编号
(mm) 额定电流 额定电流
(VAC) (A2s) (A2s)
1 0.066 0.32 0.57 1 A070GRB01T13 W330000
1.25 0.115 0.4 0.7 1.25 A070GRB1.25T13 X330001
1.5 0.185 0.63 0.81 1.5 A070GRB1.5T13 Y330002
2 0.42 1.43 1.1 2 A070GRB2T13 Z330003
2.5 0.88 3 1.15 2.1 A070GRB02.5T13 A330004
3 1.55 5.1 1.25 2.3 A070GRB03T13 B330005
4 4 13.2 1.35 2.6 A070GRB04T13 C330006
5 8.6 27.5 1.4 2.7 A070GRB05T13 D330007
10 X 38 700
6 15 48.5 1.5 2.9 A070GRB06T13 E330008
8 3.3 36.3 1.35 2.4 A070GRB08T13 F330009
10 5.4 60.5 1.85 3.4 A070GRB10T13 G330010
12.5 8.5 90.2 1.9 3.4 A070GRB12.5T13 H330011
16 16 160 2.3 4.1 A070GRB16T13 J330012
20 30 275 2.4 4.3 A070GRB20T13 K330013
25 58 520 2.7 4.7 A070GRB25T13 L330014
30 96 815 2.9 5 A070GRB30T13 M330015
12/04
SCAC43Semiconductor (A) fuses
熔断器 安培值
(AC)
美式圆形熔断器
其它美式熔断器
A070gRB
半导体保护熔断器
熔断时间－电流数据(1 － 6A) 峰值允通电流数据 (1 － 6A)
熔断时间－电流数据 (8 － 30A) 峰值允通电流数据 (8 － 30A)
SCAC44 12/04
秒位单，间时
有效电流，单位根均方对称电流的安培值
电流，单位安培
培安位单，流电通允时瞬大最
有效电流，单位根均方对称电流的安培值
秒位单，间时 培安位单，流电通允时瞬大最
电流，单位安培Semiconductor (A) fuses
其它美式熔断器
A070gRB
半导体保护熔断器
DC 峰值电弧电压
DC 电压容量
最大电弧电压vs. 系统电压
1 － 6A
测定穿过熔断器终端的峰值电弧电压，用以作为工作电压的函数
灭弧 I2 t值 vs. AC工作电压
用于测定熔断器切断
I2T值的校正因数位于其相关电压值下
12/04
SCAC4 5
)R
/L
(
数常间时
数因正修的T
2 I
压电弧电值峰大最
AIGC当然可以。半导体熔断器A70gRB是一种专门针对半导体过载保护设计的快速熔断器产品型号。其中：
- "A70"通常代表该熔断器的额定电流系列，暗示它能处理一定范围内的70安培（A）交流或直流电流。
- "g"可能是对熔体材料的特定标识，这里的"g"可能表示使用了具有较高导电率和更好热稳定性的银或含银合金作为熔体材料，这类熔体对于迅速切断在高功率密度半导体设备中的短路故障非常有效。
- "RB"则可能指的是熔断器的具体类型或者系列，其中"B"可能代表某种特殊的设计特性或技术特征，如响应速度、可靠性等级等。
综上所述，A70gRB型半导体熔断器是一款适用于中等电流等级的、采用优质银或银基合金熔体材料，并具备快速响应特性的半导体保护元件，常用于对电子元器件提供过载与短路保护。具体的技术参数、应用场合以及选型注意事项还需参考产品的详细规格说明书。
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