电力电子及其它电器类 电力电子及其它电器类
KP 1适用范围 3订货须知
型普通晶闸管
调温，调光电源整流、逆变、电机调速、 直流牵引、发电机励磁、快速开关、自动控制、 变频 3.1 晶闸管订货时应注明器件门类、系列、外形代号、通态平均电流、断态和反向重复峰值电压级数、
装置等。 数量；
3.2 对于有其它特殊要求应注明，如：晶闸管的触发电压或触发电流要求在某一个范围值内。
2主要参数及技术性能
3.3 订货举例
KP20Y-14，100只表示带引线式螺栓形普通晶闸管，通态平均电流值为20A、断态和反向重复峰值
2.1 KP5 KP500螺栓形普通晶闸管特性值
~ 电压级数14级(1400V)、数量为100只。
数值 系列 KP5 KP10 KP20 KP20Y KP30 KP50 KP100 KP200 KP300 KP500
参数
通态平均电流 IT(AV) A 5 10 20 20 30 50 100 200 300 500
通态峰值电压 VTM V ≤2 ≤2 ≤2 ≤2 ≤2 ≤2.2 ≤2.2 ≤2.3 ≤2.3 ≤2.4
断态重复峰值电压 VDRM V
反向重复峰值电压 VRRm V
100~2000 100~2400 100~3000
KS 1适用范围
断态重复峰值电流 IDRM mA
≤4 ≤5 ≤5 ≤5 ≤10 ≤10 ≤20 ≤30 ≤30 ≤50
反向重复峰值电流 IRRM mA 型双向晶闸管
门极触发电压 VGT V ≤2.5 ≤2.5 ≤2.5 ≤2.5 ≤2.5 ≤2.5 ≤3.5 ≤3 ≤3 ≤3.5 焊接设备、温控、交流功率调节控制等。
门极触发电流 IGT mA ≤50 ≤80 ≤80 ≤80 ≤130 ≤150 ≤200 ≤250 ≤250 ≤300
断态电压临界上升率 dv/dt V/μs ≥25 ≥25 ≥25 ≥25 ≥25 ≥50 ≥50 ≥200 ≥200 ≥200 2主要参数及技术性能
通态电流临界上升率 di/dt A/μs - - - - - ≥25 ≥25 ≥50 ≥50 ≥50
维持电流 IH mA ≤60 ≤80 ≤80 ≤80 ≤150 ≤200 ≤200 ≤250 ≤250 ≤350
工作结温 Tj ℃ -40~+125 2.1 KS5 ~KS200螺栓形双向晶闸管
结壳热阻 Rjc ℃/W ≤3 ≤1.6 ≤1 ≤1 ≤0.7 ≤0.4 ≤0.28 ≤0.11 ≤0.074 ≤0.04 数值 系列 KS5 KS10 KS20 KS50 KS100 KS200
推荐散热器型号 SZ13 SZ14 SZ15 SZ16 SZ17 SZ17 SL16 SL16 SL17 SL18 SL18 SL20 参数
2.2 KP200P KP2000P凸台平板形普通晶闸管特性值 通态方均根电流IT(RMS) A 5 10 20 50 100 200
~
通态峰值电压 VTM V ≤2.2 ≤2.2 ≤2.2 ≤2.4 ≤2.6 ≤2.6
数值 系列 KP200P KP300P KP500P KP800P KP1000P KP1600P KP2000P 断态重复峰值电压 VDRM V 100~2000
参数 断态重复峰值电流 IDRM mA ≤8 ≤10 ≤10 ≤20 ≤40 ≤40
通态平均电流 IT(AV) A 200 300 500 800 1000 1600 2000
门极触发电压 VGT V ≤3 ≤3 ≤3 ≤3 ≤3.5 ≤3.5
通态峰值电压 VTM V ≤2.3 ≤2.3 ≤2.4 ≤2.5 ≤2.5 ≤2.6 ≤2.8
门极触发电流 IGT mA ≤70 ≤100 ≤100 ≤200 ≤250 ≤350
断态重复峰值电压 VDRM V
反向重复峰值电压 VRRm V
100~3000 维持电流 IH mA ≤60 ≤100 ≤100 ≤200 ≤200 ≤200
换向电压临界上升率 dv/dt V/us ≥100
断态重复峰值电流 IDRM mA
反向重复峰值电流 IRRM mA
≤30 ≤30 ≤50 ≤70 ≤80 ≤120 ≤120 工作结温 Tj ℃ -40~+150
门极触发电压 VGT V ≤3 ≤3 ≤3.5 ≤3.5 ≤3.5 ≤4 ≤4
结壳热阻 Rjc ℃/W ≤3 ≤1.6 ≤1 ≤0.4 ≤0.2 ≤0.11
门极触发电流 IGT mA ≤250 ≤250 ≤300 ≤350 ≤350 ≤450 ≤450 推荐用散热器型号 SZ13 SZ14 SZ15 SZ16 SZ17 SL16 SL17 SL18
断态电压临界上升率 dv/dt V/μs ≥200 2.2 KS200P KS500P凸台平板形，KS200F KS500F凹台平板形双向晶闸管。
~ ~
通态电流临界上升率 di/dt A/μs ≥50
维持电流 IH mA ≤250 ≤250 ≤350 ≤450 ≤450 ≤500 ≤500 数值 系列 KS200(P.F) KS300(P.F) KS500(P.F)
参数
工作结温 Tj ℃ -40~+125
结壳热阻 Rjc ℃/W ≤0.11 ≤0.074 ≤0.04 ≤0.026 ≤0.02 ≤0.017 ≤0.011 通态方均根电流IT(RMS) A 200 300 500 G
紧 固 力 kN 5.310 5.310 1520 1520 2130 2734 3547 通态峰值电压 VTM V ≤2.6 ≤2.6 ≤2.6
~ ~ ~ ~ ~ ~ ~
推荐散热器型号 SS11 SF12 SS11 SF13 SS12 SF15 SS13 SF16 SS13 SF16 SS14 SS14 断态重复峰值电压 VDRM V 100~2000
断态重复峰值电流 IDRM mA ≤40 ≤50 ≤60
2.3 KP200F KP1000F凹台平板形普通晶闸管特性值
~
门极触发电压 VGT V ≤3.5 ≤3.5 ≤4
数值 系列
KP200F KP300F KP500F KP800F KP1000F
门极触发电流 IGT mA ≤350 ≤350 ≤400
参数 维持电流 IH mA ≤200 ≤300 ≤400
通态平均电流 IT(AV) A 200 300 500 800 1000
换向电压临界上升率 dv/dt V/us ≥100
通态峰值电压 VTM V ≤2.3 ≤2.3 ≤2.4 ≤2.5 ≤2.5
断态重复峰值电压 VDRM V
工作结温 Tj ℃ -40~+125
反向重复峰值电压 VRRm V
100~3000 结壳热阻 Rjc ℃/W ≤0.11 ≤0.08 ≤0.04
断态重复峰值电流 IDRM mA 紧 固 力 kN 5.3~10 5.3~10 15~20
≤30 ≤30 ≤50 ≤70 ≤80
反向重复峰值电流 IRRM mA 推荐用散热器型号 SF12 SS11 SF13 SS11 SF15 SS12
门极触发电压 VGT V ≤3 ≤3 ≤3.5 ≤3.5 ≤3.5
门极触发电流 IGT mA ≤250 ≤250 ≤300 ≤350 ≤350 3订货须知
断态电压临界上升率 dv/dt V/μs ≥200
通态电流临界上升率 di/dt A/μs ≥50
维持电流 IH mA ≤250 ≤250 ≤350 ≤450 ≤450 3.1 晶闸管订货时应注明器件门类、系列、外形代号、通态方均根电流、断态重复峰值电压级数、数量；
工作结温 Tj ℃ -40~+125 3.2 对于有其它特殊要求应注明，如：晶闸管的触发电压或触发电流要求在某一个范围值内。
结壳热阻 Rjc ℃/W ≤0.11 ≤0.074 ≤0.04 ≤0.026 ≤0.02
3.3 订货举例
紧 固 力 kN 5.3 10 5.3 10 15 20 15 20 21 30
~ ~ ~ ~ ~
推荐散热器型号 SS11 SF12 SS11 SF13 SS12 SF15 SS13 SF16 SS13 SF16 KS200P-10，200只表示凸台平板形双向晶闸管、通态方均根电流值为200A，断态重复峰值电压级
数10级(1000V)，数量为200只。
G-039 G-040电力电子及其它电器类 电力电子及其它电器类
KP 1适用范围 3订货须知
型普通晶闸管
调温，调光电源整流、逆变、电机调速、 直流牵引、发电机励磁、快速开关、自动控制、 变频 3.1 晶闸管订货时应注明器件门类、系列、外形代号、通态平均电流、断态和反向重复峰值电压级数、
装置等。 数量；
3.2 对于有其它特殊要求应注明，如：晶闸管的触发电压或触发电流要求在某一个范围值内。
2主要参数及技术性能
3.3 订货举例
KP20Y-14，100只表示带引线式螺栓形普通晶闸管，通态平均电流值为20A、断态和反向重复峰值
2.1 KP5 KP500螺栓形普通晶闸管特性值
~ 电压级数14级(1400V)、数量为100只。

KP型普通晶闸管（Kripton-P type Thyristor）是一种早期开发并广泛应用的硅基无触点电力电子器件，属于二极管家族中的可控硅元件。它由三个PN结构成，通常标记为阳极(A)、阴极(K)和门极(G)，其中阳极与阴极为串联结构，而门极则是控制导通与关断的关键。 KP型晶闸管的工作原理是，在正向电压加在阳极和阴极之间且门极施加适当的触发脉冲（一般为负向电压）时，内部形成雪崩光电效应，使得PN结导通，从而实现从阳极到阴极的电流导通。当撤去门极触发信号后，由于PN结的热存储效应，晶闸管继续保持导通状态，直到通过的电流降至维持电流以下才会自然关断。 这种类型的晶闸管常用于交流或直流电动机调速、照明电路、电加热设备以及一些工业电源控制器等领域的整流、开关或PWM控制应用中。然而，随着功率半导体技术的发展，现代电力电子系统更倾向于使用更为先进和高效的IGBT（绝缘栅双极晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）等新型器件。